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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
5.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
17.4
12.4
写入速度,GB/s
10.9
5.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1758
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
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