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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 -35% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
23
读取速度,GB/s
17.4
16.1
写入速度,GB/s
10.9
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2613
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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