RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
95
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
95
读取速度,GB/s
17.4
15.8
写入速度,GB/s
10.9
7.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
1518
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link