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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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规格
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差异
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
36
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
22
读取速度,GB/s
16.4
17.7
写入速度,GB/s
10.5
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2618
3117
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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