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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
总分
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
15.5
12.2
写入速度,GB/s
9.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2405
2018
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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