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G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
39
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
38
读取速度,GB/s
14.3
14.2
写入速度,GB/s
8.4
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2231
2807
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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