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G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
比较
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
总分
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
41
读取速度,GB/s
14.5
14.7
写入速度,GB/s
9.3
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2513
2154
G Skill Intl F3-1600C11-8GIS 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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