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G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB vs Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 -5% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
37
读取速度,GB/s
14.2
13.2
写入速度,GB/s
8.9
8.4
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2324
2143
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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