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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
总分
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
35
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
32
读取速度,GB/s
16.2
12.1
写入速度,GB/s
10.7
9.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2644
2585
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
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