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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
81
左右 74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
81
读取速度,GB/s
16.0
13.9
写入速度,GB/s
11.1
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1554
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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