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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
INTENSO 4GB
比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB vs INTENSO 4GB
总分
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
总分
INTENSO 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
36
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
9.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
INTENSO 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
36
读取速度,GB/s
16.0
12.1
写入速度,GB/s
11.1
9.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2061
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
INTENSO 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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