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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
比较
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
总分
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
总分
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
31
左右 -41% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
22
读取速度,GB/s
16.8
15.9
写入速度,GB/s
10.8
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2904
2611
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB RAM的比较
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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