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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
35
读取速度,GB/s
16.4
14.8
写入速度,GB/s
11.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2566
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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