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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
差异
规格
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差异
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
28
读取速度,GB/s
16.4
17.4
写入速度,GB/s
11.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
3085
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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