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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 -20% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
30
读取速度,GB/s
16.4
15.6
写入速度,GB/s
11.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
2341
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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