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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.8
14.4
写入速度,GB/s
11.3
8.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2511
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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