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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
34
读取速度,GB/s
16.8
15.0
写入速度,GB/s
11.3
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
2516
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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