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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

总分
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

差异 规格 评论

差异

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 38
    左右 11% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 15
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    34 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    16.8 left arrow 15.0
  • 写入速度，GB/s
    11.3 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2968 left arrow 3005

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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内存RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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