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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
比较
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
总分
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
总分
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
34
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
11.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
30
读取速度,GB/s
16.8
16.7
写入速度,GB/s
11.3
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2968
3406
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
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