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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
18.2
18.4
写入速度,GB/s
11.5
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3723
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
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