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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.3
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
18.2
17.8
写入速度,GB/s
11.5
15.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
3593
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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