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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Kingston 9905743-023.A00G 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
11.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
18.2
14.7
写入速度,GB/s
11.5
12.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2725
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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