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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
26
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.2
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
26
读取速度,GB/s
17.4
20.2
写入速度,GB/s
12.2
16.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3936
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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