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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
17.4
16.1
写入速度,GB/s
12.2
13.9
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
3272
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
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