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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
35
左右 40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
35
读取速度,GB/s
17.4
14.5
写入速度,GB/s
12.2
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2664
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
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