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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
41
读取速度,GB/s
17.4
14.7
写入速度,GB/s
12.2
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2154
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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