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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
38
读取速度,GB/s
17.4
14.2
写入速度,GB/s
12.2
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2148
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
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