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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
38
读取速度,GB/s
17.4
14.2
写入速度,GB/s
12.2
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2148
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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