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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
37
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
37
读取速度,GB/s
17.4
10.4
写入速度,GB/s
12.2
7.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2230
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
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