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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
23
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
23
读取速度,GB/s
17.4
16.2
写入速度,GB/s
12.2
8.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2442
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
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