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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
61
左右 66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
61
读取速度,GB/s
17.4
17.6
写入速度,GB/s
12.2
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3130
2113
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
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