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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
比较
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
30
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
30
读取速度,GB/s
18.7
18.0
写入速度,GB/s
14.1
14.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3380
3373
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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