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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
50
左右 42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
50
读取速度,GB/s
19.4
17.2
写入速度,GB/s
15.8
13.1
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3614
3277
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM的比较
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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