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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
24
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 -26% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
23
读取速度,GB/s
24.0
16.1
写入速度,GB/s
20.0
10.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
4156
2613
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
INTENSO 5641160 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-2400 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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