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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 49
    左右 -75% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3389

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB RAM的比较

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
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