RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

总分
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 49
    左右 -69% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 17.6
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.7
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3432

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
内存RAM
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
内存RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
内存RAM
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
内存RAM