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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.2
    测试中的平均数值
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 49
    左右 -81% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3237

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
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内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
内存RAM
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
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Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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