RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
总分
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
49
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.9
2,066.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
23
读取速度,GB/s
4,577.1
14.7
写入速度,GB/s
2,066.5
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
737
2231
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link