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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

总分
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 12.8
    测试中的平均数值
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB 需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 49
    左右 -123% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 3110

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM的比较

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Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
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内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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