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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
11.9
14.3
写入速度,GB/s
7.6
10.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
2408
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
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