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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
比较
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
总分
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
11.9
15.8
写入速度,GB/s
7.6
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1610
3052
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
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Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
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