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Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
比较
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
总分
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
14.0
21.2
写入速度,GB/s
9.4
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2342
3663
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
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