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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

总分
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 30
    左右 -25% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    6.4 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1927 left arrow 3257

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内存RAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
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内存RAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
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