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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
总分
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
15.7
13.0
写入速度,GB/s
9.8
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2388
2586
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
AMD AE34G1339U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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