RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
比较
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
总分
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
9.9
14.4
写入速度,GB/s
7.4
10.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1721
2647
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB RAM的比较
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link