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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

总分
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB 需要考虑的原因
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 83
    左右 52% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.3 left arrow 12.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    40 left arrow 83
  • 读取速度，GB/s
    12.9 left arrow 14.3
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2078 left arrow 1774

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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
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内存RAM
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
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内存RAM
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