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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

总分
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

总分
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston HX318C10FK/4 4GB 需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB 需要考虑的原因
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 69
    左右 -200% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 6.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 4.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    6.1 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    4.1 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1116 left arrow 2712

Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较

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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
内存RAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
内存RAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
内存RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
内存RAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Kingston 9905701-011.A00G 16GB
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