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Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
比较
Kingston KF552C40-16 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
总分
Kingston KF552C40-16 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KF552C40-16 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
13.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
25
读取速度,GB/s
15.5
20.1
写入速度,GB/s
13.2
16.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3343
4060
Kingston KF552C40-16 16GB RAM的比较
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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