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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

总分
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 36
    左右 -71% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.6 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.0 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    36 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 18.6
  • 写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 14.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2751 left arrow 3356

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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
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内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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内存RAM
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Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
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