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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
比较
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
总分
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
32
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
12.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
32
26
读取速度,GB/s
16.2
18.2
写入速度,GB/s
12.5
17.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3084
3885
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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