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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

总分
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

总分
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB

差异 规格 评论

差异

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB 需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 60
    左右 -140% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 5.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 14900
    左右 1.14 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    60 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    6.8 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    5.4 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    14900 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1411 left arrow 2346

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB RAM的比较

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Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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内存RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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